-
1 bipolar speed
English-Russian dictionary of microelectronics > bipolar speed
-
2 processor speed
running speed — рабочая скорость; быстродействие
-
3 bipolar speed
-
4 servoresponse speed
English-Russian big polytechnic dictionary > servoresponse speed
-
5 storage speed
-
6 computer speed
1. быстродействие вычислительной машиныoperating speed — рабочая скорость; быстродействие
processing speed — скорость обработки; быстродействие
speed of operation — рабочая скорость; быстродействие
2. быстродействие компьютера -
7 functional speed
running speed — рабочая скорость; быстродействие
-
8 operating speed
1. эксплуатационная скорость2. быстродействиеEnglish-Russian big polytechnic dictionary > operating speed
-
9 bipolar speed
Электроника: быстродействие биполярных ИС -
10 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
11 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора
См. также в других словарях:
быстродействие биполярных интегральных схем — dvipolių integrinių grandynų veikimo sparta statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit speed vok. Arbeitsgeschwindigkeit von Bipolarbausteinen, f rus. быстродействие биполярных интегральных схем, n pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Arbeitsgeschwindigkeit von Bipolarbausteinen — dvipolių integrinių grandynų veikimo sparta statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit speed vok. Arbeitsgeschwindigkeit von Bipolarbausteinen, f rus. быстродействие биполярных интегральных схем, n pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
bipolar integrated-circuit speed — dvipolių integrinių grandynų veikimo sparta statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit speed vok. Arbeitsgeschwindigkeit von Bipolarbausteinen, f rus. быстродействие биполярных интегральных схем, n pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
dvipolių integrinių grandynų veikimo sparta — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit speed vok. Arbeitsgeschwindigkeit von Bipolarbausteinen, f rus. быстродействие биполярных интегральных схем, n pranc. rapidité de circuits intégrés bipolaires, f … Radioelektronikos terminų žodynas
rapidité de circuits intégrés bipolaires — dvipolių integrinių grandynų veikimo sparta statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit speed vok. Arbeitsgeschwindigkeit von Bipolarbausteinen, f rus. быстродействие биполярных интегральных схем, n pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Операционный усилитель — Содержание 1 История 2 Обозначения 3 … Википедия
Составной транзистор — Условное обозначение составного транзистора Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) объединение двух или более биполярных транзисторов[1] с це … Википедия
Микросхемы серии 7400 — Микросхема 7400, содержащая четыре элемента 2И НЕ. Суффикс N обозначает PDIP корпус. Число меньшим шрифтом во второй строке (7645) код даты; эта микросхема произведена в 1976 году на 45 неделе … Википедия
Интегральная схема — Запрос «БИС» перенаправляется сюда; см. также другие значения. Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа Интегральная (микро)схема ( … Википедия
Микросхема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
Большая интегральная схема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
